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分光エリプソメータ FE-5000 分光エリプソメータの測定項目分光エリプソメータの測定対象分光エリプソメータの仕様分光エリプソメータの測定例
多波長分光検出器を用いた高速分光エリプソメータ -膜厚管理・膜質管理に最適- 分光エリプソメータ FE-5000
分光エリプソメータの特長
紫外可視(250〜800nm)の波長領域でのエリプソパラメータ測定が可能です。
ナノメータオーダーの多層薄膜の膜厚解析が可能です。
400ch以上のマルチチャンネル分光法によるエリプソスペクトルの迅速測定ができます。
反射角度可変測定により、薄膜の詳細な解析に対応しています。
光学定数のデータベース化およびレシピ登録機能の追加により操作性がアップしました。
多層膜フィッティング解析による光学定数測定による膜厚・膜質管理ができます。
ゼータ電位・粒径測定システムに関するTopics
分光エリプソメータの測定項目
エリプソパラメータ(tanψ、cosΔ)測定
光学定数 ( n : 屈折率 , k : 消衰係数 ) 解析
膜厚解析
分光エリプソメータの測定対象
半導体ウェハー
 ・ゲート酸化薄膜,窒化膜
 ・SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe, BPSG,TiN
 ・レジストの光学定数(波長分散)
化合物半導体
 ・AlxGa(1-x)As 多層膜,アモルファスシリコン
FPD
 ・配向膜
 ・プラズマディスプレイ用ITO,MgOなど
各種新素材
 ・DLC(Diamond Like Carbon),超伝導用薄膜,磁気ヘッド薄膜
光学薄膜
 ・TiO2,SiO2,多層膜,反射防止膜,反射膜
リソグラフィー分野
 ・g線(436nm),h線(405nm),i線(365nm),KrF(248nm)などの各波長におけるn,k評価
分光エリプソメータの仕様
測定レンジ 0.1 nm 〜
測定波長範囲 250 〜 800 nm (オプションで350 〜 1000 nmの選択が可能)
検出器 電子冷却型一次元検出素子 512ch
入射(反射)角度範囲 45 〜 90°
電源 AC1500VA (自動ステージ仕様)
寸法(WDH) 1300(W) × 900(D) × 1750(H) mm
重量 約 350kg (自動ステージ仕様)
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