１．テラヘルツ波源の偏光依存性

TR-1000に搭載されているテラヘルツ波源である、低温成長GaAs光伝導スイッチ素子やDAST結晶は、光源レーザーの偏光方向に強い依存性があります。
つまり、最適な偏光方向の光を照射しないと、十分なテラヘルツ波強度が得られないばかりか、全くテラヘルツ波を発生しないことになってしまいます。
また、TR-1000で使用している光源レーザーであるフェムト秒ファイバーレーザーは、偏光性の強いパルス光を発生しているので、その偏光方向を考慮した光学系の構築がなされています。

図１．低温成長GaAs光伝導スイッチ素子によるテラヘルツ波の発生

図1は、「【第1回】テラヘルツ分光による物性評価」で解説した、低温成長GaAs光伝導スイッチ素子によるテラヘルツ波発生の模式図と同様のものです。
第1回の解説では、偏光方向まで言及しませんでしたが、実際には光学系を構築する上で重要なポイントとなります。
テラヘルツ波の発生部では、照射するレーザー光および発生するテラヘルツ波は、素子上の平行伝送線路に対してそれぞれ図1のような偏光方向となります。

また、DAST結晶の場合は、平板結晶に対して誘電主軸偏光（結晶軸とほぼ平行）の光を垂直に入射することにより、テラヘルツ波が発生します。

これらのテラヘルツ波源からは偏光性の高いテラヘルツ波が発生します。このテラヘルツ波の偏光性を利用して、偏光板を用いずにサンプルの偏光特性を測定することができます。